ST AN3994 Application note 数据手册

描述:本文介绍了STMicroelectronics的MDmesh™ V系列超结技术，该技术在给定封装中提供了极低的RDS(on)值，无法在标准HV MOSFET中获得。此外，超结MOSFET在瞬态方面非常快速，当更高性能的技术替换旧版本时，可能会出现一些问题。本文对ST超结MOSFET系列的两个主要组成部分（MDmesh™ II和MDmesh™ V）进行了分析和比较，包括能量损耗、电压和电流率。同时还专门讨论了布局寄生效应及其对MOSFET行为的影响。最后得出结论，布局在管理非常快速的瞬态时至关重要，必须仔细规划，以帮助MOSFET发挥其最佳潜力。

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详情:本文介绍了STMicroelectronics的MDmesh™ V系列超结技术，该技术在给定封装中提供了极低的RDS(on)值，无法在标准HV MOSFET中获得。此外，超结MOSFET在瞬态方面非常快速，当更高性能的技术替换旧版本时，可能会出现一些问题。本文对ST超结MOSFET系列的两个主要组成部分（MDmesh™ II和MDmesh™ V）进行了分析和比较，包括能量损耗、电压和电流率。同时还专门讨论了布局寄生效应及其对MOSFET行为的影响。最后得出结论，布局在管理非常快速的瞬态时至关重要，必须仔细规划，以帮助MOSFET发挥其最佳潜力。