ST DB-900-80W 数据手册

描述:该文件介绍了DB-900-80W RF功放器件的特性和性能。该器件采用N沟道增强型侧向MOSFET技术，适用于IS-54/-136和IS-95基站应用。它具有优异的热稳定性，工作频率范围为869-894 MHz，最大输出功率为80W，增益为13dB。该器件还具有10:1负载驻波比能力和低于30dBc的谐波水平。

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详情:该文件介绍了DB-900-80W RF功放器件的特性和性能。该器件采用N沟道增强型侧向MOSFET技术，适用于IS-54/-136和IS-95基站应用。它具有优异的热稳定性，工作频率范围为869-894 MHz，最大输出功率为80W，增益为13dB。该器件还具有10:1负载驻波比能力和低于30dBc的谐波水平。