ST STP11NM60FD/STB11NM60FD/STP11NM60FDFP/STB11NM60FD-1 数据手册

描述:STB11NM60FD-1 是 ST 公司的 600V N 沟道 MOSFET ,RDS(on) 典型值为 0.45 欧姆,具有高 dv/dt 和雪崩能力,100% 雪崩测试,低输入电容和栅极充电,低栅极输入电阻,紧密的工艺控制和高制造良率。

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详情:STB11NM60FD-1 是 ST 公司的 600V N 沟道 MOSFET ,RDS(on) 典型值为 0.45 欧姆,具有高 dv/dt 和雪崩能力,100% 雪崩测试,低输入电容和栅极充电,低栅极输入电阻,紧密的工艺控制和高制造良率。