一种硅基Micro OLED微显示器阳极及其制备方法
描述:本发明公开了一种硅基Micro OLED微显示器阳极及其制备方法,采用清洗→涂布→曝光→显影→金属膜沉积→干法刻蚀灰化光刻胶→STR脱膜去胶的工艺进行制备,此工艺可避免传统的干法蚀刻金属膜过程中产生的污染,由于在STR脱膜去胶之前进行了干法刻蚀灰化光刻胶的预脱胶步骤,可避免光刻胶残留导致的电性不良等问题。
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手册详情:本发明公开了一种硅基Micro OLED微显示器阳极及其制备方法,采用清洗→涂布→曝光→显影→金属膜沉积→干法刻蚀灰化光刻胶→STR脱膜去胶的工艺进行制备,此工艺可避免传统的干法蚀刻金属膜过程中产生的污染,由于在STR脱膜去胶之前进行了干法刻蚀灰化光刻胶的预脱胶步骤,可避免光刻胶残留导致的电性不良等问题。