ST STP19N06L/STP19N06LFI 数据手册(1)

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shuomingshu
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描述:STP19N06L和STP19N06LFI是N通道增强模式低阈值功率MOS晶体管，具有0.085欧姆的典型RDS(on)，采用100%的AVALANCHE测试，适用于高电流、高速开关、电机控制、音频放大器等应用。

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desc:STP19N06L和STP19N06LFI是N通道增强模式低阈值功率MOS晶体管，具有0.085欧姆的典型RDS(on)，采用100%的AVALANCHE测试，适用于高电流、高速开关、电机控制、音频放大器等应用。