ST STGW20NB60H 数据手册

描述:STMicroelectronics设计了一系列具有出色性能的PowerMESH IGBT，使用基于专利带状布局的最新高压技术。该产品具有高输入阻抗、低开启电压降（VCESAT）、低门电荷、高电流能力和非常高的频率操作能力。适用于高频率电机控制、焊接设备、硬开关和谐振拓扑下的SMPS和PFC等应用。

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desc:STMicroelectronics设计了一系列具有出色性能的PowerMESH IGBT，使用基于专利带状布局的最新高压技术。该产品具有高输入阻抗、低开启电压降（VCESAT）、低门电荷、高电流能力和非常高的频率操作能力。适用于高频率电机控制、焊接设备、硬开关和谐振拓扑下的SMPS和PFC等应用。