VISHAY AN805 数据手册

3 周 ago
shuomingshu
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描述:介绍了VISHAY的PWM优化功率MOSFET，这些MOSFET的特点是具有非常低的gate charge per unit of on-resistance和fast switching times，可减少gate drive和crossover losses，从而使dc-to-dc converters designers同时减少设计footprint和提高效率

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desc:介绍了VISHAY的PWM优化功率MOSFET，这些MOSFET的特点是具有非常低的gate charge per unit of on-resistance和fast switching times，可减少gate drive和crossover losses，从而使dc-to-dc converters designers同时减少设计footprint和提高效率