ON Semiconductor MCR12D, MCR12M, MCR12N 数据手册
描述:该文件介绍了反向阻断可控硅器件的特点和特性,主要用于半波交流控制应用,如电机控制、加热控制和电源等。具有最高800伏的阻断电压、最大12安培的工作电流、100安培的高浪涌电流能力等特点。
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文件校验:05AF14AA13111F37B981AABEDC22B48E
desc:该文件介绍了反向阻断可控硅器件的特点和特性,主要用于半波交流控制应用,如电机控制、加热控制和电源等。具有最高800伏的阻断电压、最大12安培的工作电流、100安培的高浪涌电流能力等特点。