SVD50N06T/D/MJ 说明书

1 月 ago
shuomingshu
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描述:SVD50N06T是一款50A、60V N沟道增强型场效应管，采用士兰微电子新型平面低压VDMOS工艺技术制造。它具有低导通电阻、优越的开关性能和高的雪崩击穿耐量。可广泛应用于电子镇流器和低功率开关电源。

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desc:SVD50N06T是一款50A、60V N沟道增强型场效应管，采用士兰微电子新型平面低压VDMOS工艺技术制造。它具有低导通电阻、优越的开关性能和高的雪崩击穿耐量。可广泛应用于电子镇流器和低功率开关电源。